Надежное и полное заполнение медью межсоединительных каналов и структур при производстве микроэлектронной техники крайне важно для безотказной работы устройств. Важным этапом в этом процессе являются осаждение потенциального барьера (для предотвращения диффузии меди в окружающий изолирующий материал) и медного верхнего слоя, который облегчает последующий процесс электрохимического осаждения (или покрытие) без образования пустот и прослоек.

На сегодняшний день процесс ионизированного физического осаждения из паровой фазы (PVD) позволяет достичь требуемой толщины и целостности покрытия на всех поверхностях при гальванопокрытии. Однако при элементах, размерами менее 2нм и отношением ширины к длине, при которых даже самый оптимальный процесс создания барьера / затравки позволяет создавать соответствующее покрытие без какого-либо выступа и не подходит для гальванопокрытия.

Уникальная система EnduraAmber PVD решает эту проблему с помощью проверенного метода «все-в-одном», который сочетает холодное осаждение и высокотемпературный тепловой отлив меди, пришедший на замену технологии осаждения меди в EnCoRe II RFX. Медные выступы вокруг сверхмалых отверстий на 1нм узлах не позволяют при стандартномфизическом осаждении из паровой фазы достичь покрытия боковой стенки и нижнего слоя, необходимых для оптимального гальванопокрытия. Новая система улучшает существующую технологию благодаря заполнению физического осаждения из паровой фазы медным расплавом дляобеспечения заполненияснизу вверх. Этот двухступенчатый способ упрощает гальванизацию путем уменьшения эффективного соотношения сторон переходных отверстий (когда применяется один раз) или полного заполнения переходов (при применении не один раз). Таким образом, увеличивается гарантия отсутствия пустот, что является необходимым условием для надежности устройства. Независимый контроль температуры для каждого этапа цикла осаждения / расплава обеспечивает гибкость для успешной работы этого процесса с различными материалами.

Эта инновационная технология медного осаждения осуществляется на платформе Endura с предварительной очисткой и EnCoRe II Ta (N) при наличии высокого вакуума для обеспечения хорошей производительности устройства при массовом производстве.